Abstract

         石墨烯因其理论电子迁移率可达约2×105 cm2 V-1 s-1，远高于目前广泛使用的硅半导体而备受关注，开发石墨烯纳米器件也成为近年研究的热点。通常情况下，单原子层石墨烯薄片被转写至SiO2/Si等的基板上制备成纳米器件，然而研究表明，来自基板表面的声子散射会抑制室温下石墨烯内的电子迁移速率。如果要测量室温下石墨烯的真实电导率与其微观结构的关系，就有必要去除基板的影响。本研究旨在制备出以悬空石墨烯纳米带为基本单元的纳米器件，并借助于透射电子显微镜的原位观察，解析石墨烯纳米带的边界构造与其自身导电性能的关系。报告中着重介绍两电极悬空石墨烯纳米带器件的制备过程，以及为实现原位观察所设计开发的透射电子显微镜专用样品杆。